第三代半导体产品

1、5G用GaN功率器件系列：
工作频率覆盖中国移动通信的5G移动通信的全部频段，涵盖700MHz、1.8GHz、2.6GHz、4.9GHz，输出功率从W级到700W量级，封装模式为塑封或者金属陶瓷封装，具有高效率、高线性等特性，已应用到我国5G基站，并已实现出口销售。
2、5G毫米波率芯片系列：
工作频率覆盖中国移动通信规划的5G毫米波频段，主要为26GHz和39GHz，实现单一芯片集成功放、低噪放和开关等功能，具有高集成、高功率、低损耗、多功能等特点；同时研发了5G毫米波功放芯片系列，工作频率为26GHz和39GHz，输出功率负载0.1W到10W量级。该芯片已经在5G毫米波基站完成验证，为毫米波基站布站奠定芯片基础。
3.SiC电力电子器件及模块：
工作电压650V~1700V，电流10A~50A的SiC SBD和MOSFET产品样品，主要应用于光伏逆变、电动汽车、开关电源、智能电网等
4.GaN外延片（射频器件用）：
产品为国产高纯SiC衬底采用MOCVD技术进行生长，其方块电阻可以稳定控制在200-400Ω/，关键参数片内和片间不均匀性均小于3%，该产品已大量应用到雷达、5G移动通信基站所需的GaN微波毫米波功率芯片和器件的研制，并已具备批量供货能力。