SiC功率器件智能驱动芯片

全球首款功率器件闭环智能驱动芯片，可普遍用于各功率等级的SiC MOSFETs, IGBT，Si基MOSFETs等开关功率器件；本芯片从设计，流片生产到封装测试全国产化，较其他国内外功率器件驱动芯片，在同等运行条件下，能够使SiC功率器件开关损耗降低30%，并解决了SiC功率器件在快速开关过程中的震荡问题，保证了器件的稳定可靠运行。本驱动芯片可适应12V - 24V宽电压范围的驱动输出，闭环响应时间在10ns以内，驱动电流最高可达2.5A，技术达到世界先进水平，已由华中科技大学联合湖南擎舟芯源电子科技有限公司实现产业化。