基于GaN器件的新能源汽车极高功率密度双向OBC系统

基于GaN器件的超高功率密度新能源汽车双向OCB系统，采用了650V, 80A的GaN MOSFETs，拓扑结构为双向无桥PFC + CLLC DC-DC, 功率等级为6.6KW，实现了能量的双向传输，具备V2V, V2G功能，功率密度较现有同类产品提升了一倍，整机效率可达96.5%以上，可用于各型主流新能源乘用车，由华中科技大学联合武汉汉威原力微电子有限公司共同研发，有广泛的应用及市场前景