氮化镓(GaN)器件智能驱动芯片

全球首款针对GaN功率器件的智能驱动芯片，完美解决了GaN功率器件在快速过程中的震荡及串扰问题。为了适应GaN开关快速的特点，创新采用了电流预设方式对开关过程中的电流大小及切换时间进行预设，时间设定步长最小单位为350ps，满足了GaN快速开关的要求，电流驱动能力为4安培。此芯片从设计，流片到封装全国产化，是一款全自主可控的产品， 由华中科技大学与武汉汉威原力微电子有限公司共同开发。